Díode Shockley

Un díode Shockley és un dispositiu de dos terminals que té dos estats estables: un de bloqueig, o d'alta impedància, i de conducció, o baixa impedància. No s'ha de confondre amb el díode de barrera Schottky.

Símbol del díode Shockley.

Està format per quatre capes de semiconductor de tipus N i P, disposades alternadament. És un tipus de tiristor.

Funcionament

La corba característica Tensió-Corrent (V-I) del diode Schottky es mostra a la figura. La regió I és la regió d'alta impedància i la III, la regió de baixa impedància. Per passar de l'estat apagat al de conducció, s'augmenta la tensió en el díode fins a aconseguir la tensió de commutació, anomenada V_s. La impedància del díode descendeix bruscament, fent que el corrent que el travessa s'incrementi i disminueixi la tensió, fins a aconseguir un nou equilibri en la regió III (punt B). Per tornar a l'estat apagat, es disminueix el corrent fins al corrent de manteniment, anomenada I_h. En aquest instant el díode augmenta la seva impedància, reduint, encara més el corrent, mentre augmenta la tensió en els seus terminals, creuant la regió II, fins que arriba el nou equilibri a la regió I (punt A). La tensió inversa d'allau és denominada V_rb.

Aquest dispositiu va ser desenvolupat per William Bradford Shockley després d'abandonar els Laboratoris Bell i fundar Shockley Semiconductor.

Vegeu també

• Díode Schottky
• Díode
• DIAC
• Tiristor
• Sidac

Bibliografia

• Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian. Crystal fire : the invention of the transistor and the birth of the information age. Nova York: Norton, 1998, ©1997. ISBN 0-393-31851-6. 
• Morehouse. «Shockley Diode & DIAC (Anàlisi del díode Shockley díode)» (en anglès). Emag Technologies, s.d. Arxivat de l'original el 2021-05-06. [Consulta: 20 agost 2013].

Enllaços externs

• «Shockley 4 Layer Diodes (Informació sobre el diode Shockley)» (en anglès). Historic Transistor Photo Gallery. Semiconductor Museum.

A Wikimedia Commons hi ha contingut multimèdia relatiu a: Díode Shockley