FinFET
FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor.[1][2][3][4]
Paràmetres modifica
- Avantatge dels transistors FinFET : [5]
| Paràmetre | Detall |
|---|---|
| Superfície en SI | Permet implementar transistors per sota dels 22 nm (actualment estan a 5 nm) |
| Consum de potència | Reducció significativa del consum elèctric. |
| Tensió d'operació | Permet treballar per sota 1V. |
| Corrent de pèrdues | Reducció típica del 90%. |
| Velocitat d'operació | Millora típica del 30%. |
GAAFET modifica
GAAFET (gate-all-around FET) o transistor FET de porta envoltada és similar al concepte de FinFET amb la diferència que el material qui forma la porta envolta la regió del canal.[6] GAAFET són els successors dels FinFET per a implementar les tecnologies per sota de 7nm.[7]
Implementacions modifica
| Empresa | Data | Tecnologia
FinFET |
|---|---|---|
| GlobalFoundries | 2012 | 14 nm |
| TSMC | 2014 | 16 nm |
| AMD | Abril 2017 | 14 nm |
| Samsung | Març 2017 | 14 nm |
| TSMC | setembre 2017 | 10 nm |
Referències modifica
- ↑ «What is Finfet?» (en anglès). https://www.computerhope.com.
- ↑ «FinFET Technology | FinFET Basics | Radio-Electronics.Com» (en anglès). http://www.radio-electronics.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
- ↑ «FinFET Guide - TechDesignForum» (en anglès). http://www.techdesignforums.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
- ↑ «FinFET Design, Manufacturability, and Reliability» (en anglès). https://www.synopsys.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
- ↑ «[https://microlab.berkeley.edu/text/seminars/slides/2011-8_FinFET_and_the_Concept_Behind_It.pdf FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It]» (en anglès). https://microlab.berkeley.ed.+[Consulta: 14 novembre 2017].
- ↑ «Gate-All-Around FET (GAA FET)» (en anglès). semiengineering.com, 13-12-2020. [Consulta: 13 desembre 2020].
- ↑ Solca, Bogdan. «TSMC to implement gate-all-around (GAAFET) transistors on the 2 nm nodes by 2023» (en anglès). https://www.notebookcheck.net,+13-12-2020.+[Consulta: 13 desembre 2020].