Fitxer:Threshold formation nowatermark.gif

Threshold_formation_nowatermark.gif(722 × 328 píxels, mida del fitxer: 267 Ko, tipus MIME: image/gif, en bucle, 24 fotogrames, 3,6 s)

Descripció a Commons

Resum

Descripció
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire
Data
Font Treball propi
Autor Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris

Llicència

Public domain Jo, el titular del copyright d'aquesta obra, l'allibero al domini públic. Això s'aplica a tot el món.
En alguns països això pot no ser legalment possible, en tal cas:
Jo faig concessió a tothom del dret d'usar aquesta obra per a qualsevol propòsit, sense cap condició llevat d'aquelles requerides per la llei.

Llegendes

Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer

Elements representats en aquest fitxer

representa l'entitat

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

Data/horaMiniaturaDimensionsUsuari/aComentari
actual18:57, 26 ago 2010Miniatura per a la versió del 18:57, 26 ago 2010722 × 328 (267 Ko)Zephyris{{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o

Les 5 pàgines següents utilitzen aquest fitxer:

Ús global del fitxer

Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:

Vegeu més usos globals d'aquest fitxer.