45 nanòmetres

45 nanòmetres (45 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 45 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de $45\simeq {\frac {65}{\sqrt {2}}}$.

Fig.1 Exemple de tecnologia de 45 nm : IBM Cell-45

Tecnologia	Any
10 um	1971
6 um	1974
3 um	1977
1,5 um	1982
1 um	1985
800 nm	1989
600 nm	1994
350 nm	1995
250 nm	1997
180 nm	1999
130 nm	2001
90 nm	2004
65 nm	2006
45 nm	2008
32 nm	2010
22 nm	2012
14 nm	2014
10 nm	2017
7 nm	2018
5 nm	2020

Història

• 2004 : primeres demos de TSMC
• 2006 : demos d'Intel, AMD, Texas Instruments, UMC

• 2007 : Matsushita i Intel comercialitzen IC amb tecnologia de 45 nm
• 2008 : AMD produeix processadors. SMIC amb tecnologia d'IBM

Tecnologia emprada

• Tecnologia de materials amb dielèctric high-k
• Litografia amb llum de major freqüència
• Double patterning

Processadors

Fabricant	Data	CPU	Notes
Matsushita	2007	Uniphier
Intel	2007	Core i5-750 i i7
AMD	2007	Phenom II	6 cores
Texas Instruments	2007	OMAP 3 i 4
IBM	2007	Power7

Fabricant	Intel		Fujitsu		TI		Toshiba / Sony / NEC		Samsung		IBM / Toshiba / Sony / AMD
Nom del procés	P1266		CS-300						11LP
Primera producció	2006		2008		2008		2006		2007		2007
Tipus	Bulk										PDSOI
Oblia	300mm
	Valor	65 nm Δ	Valor	65 nm Δ	Valor	65 nm Δ	Valor	65 nm Δ	Valor	65 nm Δ	Valor	65 nm Δ
Pas de contacte de porta	180 nm	0.82x	190 nm	?x	? nm	?x	180 nm	?x	? nm	?x	190 nm	0.76x
Pas de connexió	160 nm	0.76x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Cel·lula 1 bit de RAM (HD)	0.346 µm²	0.61x	0.225 µm²	?x	0.255 µm²	?x	0.248 µm²	?x	0.29 µm²	0.54x	0.370 µm²	0.57x
Cel·lula 1 bit de RAM (LP)	0.382 µm²	0.56x							0.359 µm²	0.53x
Cel·lula 1 bit de DRAM									0.11 µm²	0.58x	0.067 µm²	0.53x

Vegeu també

• Circuit integrat
• Tecnologia SOI
• Tecnologia Dielèctric high-k