Tecnologia TTL: diferència entre les revisions

m
r2.7.3) (Robot afegeix: kk:Транзистор-транзисторлық логика; canvis cosmètics
m (r2.7.3) (Robot afegeix: kk:Транзистор-транзисторлық логика; canvis cosmètics)
'''TTL''' és la [[sigla]] en [[anglès]] de ''transistor-transistor logic'', és a dir, "lògica transistor a transistor". És una [[família lògica]] o el que és el mateix, una tecnologia de construcció de circuits electrònics [[circuit digital | digitals]]. En els components fabricats amb tecnologia TTL els elements d'entrada i sortida del dispositiu són [[Transistor bipolar | transistors bipolars]]. La seva tensió d'alimentació característica es troba compresa entre els 4,75 v i els 5,25 V (com es veu un rang molt estret). Els nivells lògics venen definits per el rang de tensió compresa entre 0,2 V i 0,8 V per l'estat L (baix) i els 2,4 V i Vcc per l'estat H (alt). La velocitat de transmissió entre els estats lògics és la seva millor base, tot i que aquesta característica el fa augmentar el seu consum sent el seu major enemic. Motiu pel qual han aparegut diferents versions de TTL com a FAST, LS, S, etc i últimament els [[CMOS]]: HC, HCT i HCTLS. En alguns casos pot arribar a poc més dels 250 MHz. Els senyals de sortida TTL es degraden ràpidament si no es transmeten a través de circuits addicionals de transmissió (no poden viatjar més de 2 m per cable sense greus pèrdues).
 
== Història ==
* TTL: Sèrie estàndard
* TTL-L (''low power''): Sèrie de baix consum
* TTL-S (''Schottky''): Sèrie ràpida (utilitza [[Díode Schottky | díodes Schottky]])
* TTL-AS (''advanced Schottky''): Versió millorada de la sèrie anterior
* TTL-LS (''low power Schottky''): Combinació de les tecnologies L i S (és la família més estesa)
== Versions ==
A la família inicial 7.400 o 74N , aviat es va afegir una versió més lenta però de baix consum, la 74L i la seva contrapartida ràpida, les 74H , que tenia la base dels [[transistor]]s dopada amb or per produir centres de recombinació i disminuir la vida mitjana dels portadors minoritaris a la base.
Però el problema de la velocitat prové que és una [[família saturat]], és a dir, els transistors passen de [[tall]] a [[Saturació magnètica |saturació]]. Però un transistor saturat conté un excés de càrrega en la seva base que s'ha d'eliminar abans que comenci a tallar, prolongant el seu temps de resposta. L'estat de saturació es caracteritza per tenir el col lector a menys tensió que la base. Llavors un [[díode]] entre base i collector, desvia l'excés de corrent impedint la introducció d'un excés de càrregues a la base. Per la seva baixa [[tensió directa]] s'utilitzen [[díode]]s de barrera [[Díode Schottky | Schottky]]. Així hi ha les famílies 74S i 74LS, Schottky i Schottky de baixa potència. Les 74S i 74LS van desplaçar del tot les 74L i 74H, degut al seu millor producte retard · consum. Millores en el procés de fabricació van conduir a la reducció de la mida dels transistors que va permetre el desenvolupament de tres famílies noves: 74F (FAST: Fairchild Advanced Schottky Technology) de Fairchild i 74AS (Advanced Schottky) i 74ALS ( Advanced Low Power Schottky) de [[Texas Instruments]]. Posteriorment, [[National Semiconductor]] redefinir l'74F per al cas de memòria intermèdia i interfícies, passant a ser 74F (r).
[[Fitxer: TTL NAND.PNG | thumb | 300 px | Porta NAND en tecnologia TTL estàndard (N)]]
 
== Aplicacions ==
A més dels circuits LSI i MSI descrits aquí, les tecnologies LS i S també s'han emprat en:
* [[Microprocessadors]] , com el [[8x300]], de [[Signetics]], la família [[Am2901 | 2.900]] d'[[AMD]] i altres.
* [[Memòria RAM | Memòries RAM]]
* [[Memòria PROM | Memòries PROM]]
* PAL, ''Programmable Array Logic'', consistent en una PROM que interconnecta les entrades i cert nombre de portes lògiques.
 
[[it:Transistor-transistor logic]]
[[ja:Transistor-transistor logic]]
[[kk:Транзистор-транзисторлық логика]]
[[ko:트랜지스터-트랜지스터 논리]]
[[nl:Transistor-transistorlogica]]
205.172

modificacions