Diferència entre revisions de la pàgina «NVRAM»

4 octets eliminats ,  fa 8 anys
cap resum d'edició
m
{{MM|2L = si|FR = si | data = desembre de 2012}}
[[Fitxer: DS1225.JPG|thumb|Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.]]
La ''' memòria d'accés aleatori no volàtil ''', referida dea vegades per les seves [[sigla|sigles]] en [[Idioma anglès|anglès]] ''' NVRAM ''' ('' Non-volatile random access memory ''), és un tipus de [[memòria d'accés aleatori]] que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada enal tallaraturar-se l'alimentació elèctrica.
 
En els [[routersrouter]]s s'utilitza, per emmagatzemar un fitxer de configuració de seguretat (inici).
 
Avui dia, la majoria de memòries NVRAM són [[memòria flash|memòries flash]] ja que són molt usades per [[telefonia mòbil|telèfons mòbils]] i reproductors portàtils d'àudio.{{CN}}
 
La necessitat de mantenir les dades, fins i tot quan cessa la l'[[corrent elèctric|alimentació]], va motivar el sorgiment de diversos tipus de [[memòria ROM]] reprogramables: elèctricament alterables - [[EAROM]], elèctricament esborrables - [[EEPROM]], programables i esborrables - [[PEROM]] i [[flash EEPROM]]. Cada nou tipus millora la facilitat de gravació i durada delsde les [[dada|dades]] s, però disten de poder utilitzar-se com a memòria [[RAM]].
 
Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura hi haexisteixen dues estratègies diferents:
 
La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les [[CMOS-RAM]]: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les [[pila de liti|piles de liti]] (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions.
 
La segona estratègia consisteix a superposar una RAM a una EEPROM, [[bit]] a bit. En funcionament normal les dades s'escriuen i llegeixen de la RAM, però davant un pols de "retenció", el contingut de la RAM passa a la EEPROM en paral·lel. Aquestes EEPROM poden mantenir les dades sense alimentació més de 10 anys, superant la vida de la [[pila de liti]]. El pols de retenció el que pot generar tant un monitor de tensió intern com un senyal generadagenerat externament. Aquestes memòries necessiten que l'alimentació s'extingeixi prou poc a poclentament com per permetre que es completi la l'[[enregistrament]] de les dades. A la pràctica, els [[condensador elèctric|condensadors]] de l'alimentació són suficients. Quan l'alimentació torna al seu valor nominal, les dades passen de la EEPROM a la RAM.
 
== Vegeu també ==