Memòria racetrack: diferència entre les revisions

La versió del Racetrack d'IBM utilitza [[corrent elèctric]] de [[spin]] coherent per moure els [[dominis magnètics]] al llarg d'un filferro nanoscòpic en forma de "U". A mesura que el corrent està passant a través del filferro, els dominis es mouen sobre les [[imatge del cap de lectura/escriptura|caps de lectura/escriptura]] magnètiques posicionades en el fons de la "U", que altera els dominis per registrar patrons de bits. Un dispositiu de memòria està compost de molts d'aquests filferros i elements de lectura/escriptura.<ref>{{citar llibre|cognom = Verlag|nom = Cuvilliés|títol = Spin-Polaritzar Currents for Spintronic Devices: Point-Contact Andreev Reflection And Spin Filters|pàgines = 2|isbn = 3867274320|url = http://books.google.cat/books?id=ZBfI_IshTv8C|fechaaccesoconsulta=2008-04-06}}</ref> En un concepte operacional general, la memòria Racetrack és similar a l'anterior [[memòria twistors]] o l'[[memòria de bombolla]] dels anys 1960s i 1970s, però fa servir dominis magnètics molt més petits i millores notables en les capacitats de detecció magnètica per proporcionar molt més altes [[densitat d'àrea|densitats d'àrea]].