Dopatge (semiconductors): diferència entre les revisions

El dopatge va ser desenvolupat originalment per [[John Robert Woodyard]] mentre treballava per a la [[Sperry Gyroscope Company]] durant la [[Segona Guerra Mundial]]. <ref> Patent US No.2, 530.110, emplenada, 1944, atorgada el 1950 </ref> La demanda del seu treball sobre el [[radar]] durant la guerra no li va permetre desenvolupar més profundament la investigació sobre el dopatge, però durant la postguerra es va generar una gran demanda iniciada per la companyia [[Sperry Rand]], en conèixer la seva important aplicació a la fabricació de [[transistor]]s. <ref>{{citar llibreref|autor = Morton, P. L. et al. |any = 1985|obra = Universitat de Califòrnia: En memòria|títol = John Robert Woodyard, Enginyer elèctric: Berkeley}}</ref>