Diferència entre revisions de la pàgina «Carborúndum»

2 octets eliminats ,  fa 6 anys
m
cap resum d'edició
m (Corregit: a elevat voltatge i alta energia -> a voltatges elevats i a altes energies)
m
És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en què sobre l'estructura amfitrió (C en forma de diamant) se substitueixen àtoms d'aquest per àtoms de [[silici]], sempre que el buit que es deixi sigui similar a la mida de l'àtom que l'ocuparà.
 
El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arseniürarsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
 
Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·10<sup>7</sup>cm<sup>-1</sup>) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les seves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.
69.632

modificacions