Carbur de silici: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
mCap resum de modificació |
m Corregit: basa en què > basa en el fet que |
||
Línia 2:
[[Fitxer:Silicon-carbide-3D-balls.png|dreta|222px|Estructura del Carborúndum]]
[[Fitxer:Silicon carbide detail.jpg|esquerra|222px|Detall de carborúndum]]
És un compost que es pot anomenar aliatge sòlida, i que es basa en
El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència, el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arsenur de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
| |||