1.164.990
modificacions
m (Corregit: distingueix > distingeix) |
|||
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), també anomenat HFET (''heterostructure FET''), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
La característica dels [[TFT]] que els
{{commonscat|Field-effect Transistors}}
|