Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions

m
Corregit: distingueix > distingeix
m (Bot: Traient 37 enllaços interwiki, ara proporcionats per Wikidata a d:q176097)
m (Corregit: distingueix > distingeix)
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), també anomenat HFET (''heterostructure FET''), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
 
La característica dels [[TFT]] que els distingueixdistingeix, és que fan ús del [[silici amorf]] o del [[silici policristal·lí]].
{{commonscat|Field-effect Transistors}}
 
1.164.990

modificacions