LDR: diferència entre les revisions

Contingut suprimit Contingut afegit
m Revertides les edicions de 141.105.110.142 (discussió) a l'última versió de 80.32.246.72
m Corregit: dispositiu es d > dispositiu és d
Línia 3:
La '''LDR''' es un dispositiu electronic semiconductor emprat per produir una senyal de sortida en resposta a una altre senyal d'entrada (una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]]) que té la propietat de variar el seu valor en funció de la [[llum]]. En presència d'una gran intensitat de llum la seva [[Resistència elèctrica (propietat)|resistència elèctrica]] és baixa, de l'ordre dels 100 [[Ohm|Ω]]. En canvi a les fosques, sense llum, la seva resistència és alta, de l'ordre de 10 MΩ.
 
Una fotoresistència està feta d'un [[semiconductor]] d'alta resistència. Si la llum que incideix en el dispositiu esés d'alta [[freqüència]], els [[Fotó|fotons]] són absorbits per l'elasticitat del semiconductor donant als [[electrons]] l'[[energia]] suficient per saltar a la [[banda de conducció]]. L'electró lliure que en resulta (i el seu [[Forat (física)|forat]] associat) condueix l'electricitat, de tal manera que disminueix la resistència.
 
Un dispositiu fotoelèctric pot ser intrínsec o extrínsec. En els dispositius intrínsecs, els únics electrons disponibles estan en la banda de la [[València atòmica|valència]], per tant el [[fotó]] ha de tenir bastant energia per a excitar un electró a través de tota la banda prohibida. Els dispositius extrínsecs tenen impureses afegides, que tenen energia d'estat més proper a la banda de conducció, ja que els electrons no han saltar lluny, els fotons amb menys energia (és a dir, els de major [[longitud d'ona]] i freqüència més baixa) són suficients per activar el dispositiu.