Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions

m
Robot: Reemplaçament automàtic de text (-[[Imatge: +[[Fitxer:, -[[Image: +[[Fitxer:, -[[File: +[[Fitxer:)
m (Robot inserta {{Autoritat}})
m (Robot: Reemplaçament automàtic de text (-[[Imatge: +[[Fitxer:, -[[Image: +[[Fitxer:, -[[File: +[[Fitxer:))
[[ImageFitxer:P45N02LD.jpg|thumb|Transistor d'efecte camp "N-channel"]]
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en anglès) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material [[semiconductor]]. Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]].
 
223.351

modificacions