Tecnologia TTL: diferència entre les revisions

Però el problema de la velocitat prové que és una [[família saturat]], és a dir, els transistors passen de [[tall]] a [[Saturació magnètica|saturació]]. Però un transistor saturat conté un excés de càrrega en la seva base que s'ha d'eliminar abans que comenci a tallar, prolongant el seu temps de resposta. L'estat de saturació es caracteritza per tenir el col ·lector a menys tensió que la base. Llavors un [[díode]] entre base i collector, desvia l'excés de corrent impedint la introducció d'un excés de càrregues a la base. Per la seva baixa [[tensió directa]] s'utilitzen [[díode]]s de barrera [[Díode Schottky|Schottky]]. Així hi ha les famílies 74S i 74LS, Schottky i Schottky de baixa potència. Les 74S i 74LS van desplaçar del tot les 74L i 74H, degut al seu millor producte retard · consum. Millores en el procés de fabricació van conduir a la reducció de la mida dels transistors que va permetre el desenvolupament de tres famílies noves: 74F (FAST: Fairchild Advanced Schottky Technology) de Fairchild i 74AS (Advanced Schottky) i 74ALS ( Advanced Low Power Schottky) de [[Texas Instruments]]. Posteriorment, [[National Semiconductor]] redefinir l'74F per al cas de memòria intermèdia i interfícies, passant a ser 74F (r).

* Separador de fase. És un transistor connectat a [[emissor comú]] que produeix en la seva col ·lector i emissor [[senyals en contrafase]].

* Driver. Està formada per diversos transistors, separats en dos grups. El primer va connectat a l'emissor del separador de fase i drenen el corrent per produir el nivell baix a la sortida. El segon grup va connectat al col ·lector del divisor de fase i produeix el nivell alt.