Diferència entre revisions de la pàgina «Memòria flaix»

m
Corregit: com Fowler-Nordhiem > com a Fowler-Nordhiem
m (Corregit: això es consegueix incrementar > això s'aconsegueix incrementar)
m (Corregit: com Fowler-Nordhiem > com a Fowler-Nordhiem)
Aquest transistor es caracteritza per dispossar de dos portes diferents, una fixa equivalent a la dels transistors MOS, i una altra flotant. Aquesta porta flotant no està conectada sinó que es troba rodejada d’un material aïllant(òxid) de molt alta impedància. Per permetre la reprogramació del transistor, aquesta porta flotant es situa a molt poca distància del substrat del transistor.
 
Per programar la cel·la, el programador aplica una tensió elevada a la porta fixe de totes aquelles cel·les que han d’emmagatzemar un ‘0’. Aquesta tensió permet als electrons que es troben en el substrat del transistor, travessar l’aïllant a través d’un “túnel” i arribar fins a la porta flotant. Aquest afecte és conegut com a Fowler-Nordhiem Tunneling.
 
Com que hi ha una major distància entre la porta fixe i la porta flotant, els electrons no són capaços d'arribar a la porta fixe i es queden atrapats a la porta flotant, això provoca que s’acumuli càrrega negativa a la porta flotant i s’incrementi la tensió umbral del transistor cosa que fa que el transistor quedi polaritzat en inversa i per tant ja no condueix i el
1.146.864

modificacions