Nanotub: diferència entre les revisions

En el terreny dels transistors, es poden introduir SWNTs semiconductors entre dos elèctrodes (font i [[drenador]]) a [[transistors d'efecte de camp]] (FET), anomenats CNTFET, per crear una "autopista" per a la circulació de d'[[electró|electrons]]. Aquesta corrent pot activar o desactivar, aplicant un petit voltatge a la porta, que fa que canviï la conductivitat del nanotub en un factor major de 10 ⁶, comparable als FET de [[silici]]. Com a resultat, els CNTFET commutarien sense errar i consumint menys energia que un dispositiu de silici. A més, les velocitats de commutació poden arribar als [[tera]]hertz, el que suposa commutar 10 ⁴ vegades més ràpid que en els processadors actuals.