Revisió del 11:43, 23 gen 2017 modifica Rrival 01 (discussió \| contribucions) 4.370 edits mCap resum de modificació Etiqueta: editor visual ← Edició anterior		Revisió del 11:17, 7 març 2017 modifica desfés Langtoolbot (discussió \| contribucions) Bots 1.187.114 edits m bot: -línees +línies Edició següent →
Línia 52: == Tecnologies == Existeixen dues tecnologies principals de memòries flaix ; NOR i NAND. El seu nom prové de l’estructura d’interconnexió interna de les seves cel·les de memòria. En les memòries NOR flaix les cel·les estan connectades en paral·lel a les ~~línees~~línies de bit, en canvi en les NAND flaix les cel·les es connecten en sèrie. === NOR flaix === Línia 66: === NAND flaix === Degut a la connexió en serie i a que s’eliminen els contactes de les ~~línees~~línies de paraula, les memòries NAND flaix ocupen sobre un 60% de l’àrea de silici necessària per implementar una memòria de la mateixa capacitat utilitzant una NOR flaix. Per reduir encara més aquesta àrea, es va optar per eliminar el circuit del bus de dades i de direcció externs, els dispossitius externs han de comunicar-se amb la memòria NAND flaix a través d’ordres serie i registres de dades que internament obtindran la dada requerida.

Memòria flaix: diferència entre les revisions