Diferència entre revisions de la pàgina «Sòlid»

9 octets eliminats ,  fa 2 anys
m
Enllaços
m (bot: -electrostàtica +electroestàtica)
m (Enllaços)
=== Termoelèctriques ===
[[Fitxer:OD Compact disc.svg|thumb|240px|Un [[compact disc]] (CD) fa servir cristalls de [[calcogen|calcogèn]]ids per a obtenir una memòria d'estat sòlid]]
Els cristalls [[calcogen|calcogèn]]ids es formen a partir dels elements del grup VI de la [[Taula Periòdica|taula periòdica]] -especialment [[sofre]] (S), [[seleni]] (Se) i [[tel·luri]] (Te)-, que reaccionen amb elements més [[electropositiu]]s, com l'[[antimoni]] (Sb), l'[[Plata|argent]] (Ag) i el [[germani]] (Ge). Aquests són composts extremadament versàtils, ja que poden ser cristal·lins o amorfs, metàl·lics o semiconductors, i conductors de [[Ió (àtom)|ions]] o d'[[electró|electrons]]. Ja importants en discs d'emmagatzematge òptics i fibres, s'estan proposant ara com la base per a tecnologies de [[memòria d'estat sòlid]]. A més, els materials de cristalls calcogènids formen la base de les tecnologies dels [[CD (disc)|CD]] i [[DVD]].
 
La commutació elèctrica en semiconductors calcogènids es va desenvolupar durant els anys 1960, quan es va descobrir que el calcogènid [[Te48As30Si12Ge10]] amorf presentava transicions sobtades reversibles en [[Resistència elèctrica (propietat)|resistència elèctrica]] per damunt un [[volt]]atge llindar. El mecanisme de commutació semblava iniciat per a processos ràpids purament electrònics. Si es permet que el corrent continu passi pel material no cristal·lí, s'escalfa i canvia a forma cristal·lina. Això és equivalent escriure-hi informació. Una regió cristal·lina pot ser desfeta per exposició a un pols breu i intens de calor. El subsegüent refredament ràpid llavors retorna la regió desfeta durant la transició cristal·lina. De forma inversa, un pols de calor d'intensitat més baixa de duració més llarga cristal·litza una regió amorfa.
223.351

modificacions