Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions

Es desfà la revisió 20966590 de Manlleus (Discussió)
Cap resum de modificació
(Es desfà la revisió 20966590 de Manlleus (Discussió))
Etiqueta: Desfés
{{infotaula eina}}
[[Fitxer:P45N02LD.jpg|thumb|Transistor d'efecte camp "N-channel"]]
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en anglès) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material [[semiconductor]]. Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]].
86.586

modificacions