Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions

m
+ ei
(Robot posa data a plantilles de manteniment)
m (+ ei)
{{FR|data=maig de 2019}}
[[Fitxer:P45N02LD.jpg|thumb|Transistor d'efecte camp "N-channel"]]
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en [[anglès]]) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la [[Conductivitat elèctrica|conductivitat]] d'un "canal" en un material [[semiconductor]]. Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]].
 
La majoria dels FET estan fets usant les [[fabricació de dispositius semiconductors|tècniques de processament de semiconductors]] habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels [[TFT]]s (''thin-film transistors'', o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es [[deposició de vapor químic|deposita]] sobre un substrat (usualment [[vidre]], ja que la principal aplicació dels TFTs és les [[pantalla de cristall líquid|pantalles de cristall líquid]] o LCDs).
49.585

modificacions