Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions

m
- {{FR|data=maig de 2019}}
(+ == Referències ==)
m (- {{FR|data=maig de 2019}})
{{FR|data=maig de 2019}}
[[Fitxer:P45N02LD.jpg|thumb|Transistor d'efecte camp "N-channel"]]
El '''transistor d'efecte camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en [[anglès]]) és en realitat una família de [[transistor]]s que es basen en el [[camp elèctric]] per controlar la [[Conductivitat elèctrica|conductivitat]] d'un "canal" en un material [[semiconductor]].<ref>{{Ref-web|títol=What is a FET - Field Effect Transistor » Electronics Notes|url=https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/fet-field-effect-transistor/what-is-a-fet-types-overview.php|consulta=2019-05-07}}</ref> Els FET, com tots els [[transistor]]s, poden plantejar-se com [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] controlades per [[voltatge]].
49.585

modificacions