Diferència entre revisions de la pàgina «Estructura MOS»

72 octets eliminats ,  fa 1 any
cap resum d'edició
[[ArchivoFile:Estructura-MOS.svg|enllaç=https://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:Estructura-MOS.svg|miniaturathumb|300x300px|Estructura Metall-òxid-semiconductor construïda amb un substrat de silici tipus p (estructura PMOS)]]
L{{'}}'''estructura MOS''' (''Metal-Oxide-Semiconductor'') consisteix en un [[condensador]], en què una de les armadures és metàl·lica, anomenada "porta", el [[dielèctric]] es forma amb un òxid del semiconductor del substrat, i l'altra armadura és un [[semiconductor]], que anomenarem substrat. L'estructura MOS és de gran importància dins dels dispositius d'estat sòlid, ja que forma els transistors [[MOSFET]], base de l'[[electrònica digital]] actual. Però, a més, és el pilar fonamental dels dispositius de càrrega acoblada, [[CCD]], tan comuns en fotografia. Així mateix, funcionant com condensador és responsable d'emmagatzemar la càrrega corresponent als bits de les [[DRAM|memòries dinàmiques]]. També s'utilitzen com condensadors de precisió en electrònica analògica i microones.
 
146.005

modificacions