Diferència entre revisions de la pàgina «Estructura MOS»

70 octets eliminats ,  fa 1 any
 
== Capacitat MOS ==
[[Archivo:Capacitancia-MOS.svg|enllaç=https://es.wikipedia.org/wiki/ArchivoFile:Capacitancia-MOS.svg|miniatura|300x300px|Capacitància normalitzada de l'estructura MOS en funció de la tensió de comporta<ref>{{cita libro|autor=El-Kareh, Badih|año=2009|título=Silicon Devices and Process Integration|capítulo=The MOS Structure|editorial=Springer US|isbn=978-0-387-69010-0|url=http://www.springerlink.com/content/n5222m57557n17x7|doi=10.1007/978-0-387-69010-0_4}}</ref>]]
En un condensador de capacitat C, apareix una càrrega Q, donada per l'expressió: Q = C · V '','' on V és la tensió entre armadures. En el condensador MOS, la tensió entre la porta i el substrat fa que adquireixi la càrrega Q, que apareix a banda i banda de l'òxid. Però en el cas del semiconductor això significa que la concentració de portadors sota la porta varia en funció de la tensió aplicada a aquesta.
 
146.005

modificacions