Diferència entre revisions de la pàgina «Estructura MOS»

 
La descripció anterior és teòrica i no s'ajusta al cas real, pel fet que durant el procés de fabricació diverses càrregues queden atrapades en l'òxid que forma l'estructura MOS. Aquesta càrrega és independent de la tensió que s'apliqui a la porta, però influeix sobre el comportament de l'estructura, ja que s'ha de polaritzar la porta per compensar aquesta càrrega abans que el condensador MOS es comporti com s'ha descrit en el paràgraf anterior.
Aquestes càrregues han estat un maldecap per als dissenyadors de circuits integrats MOS, ja que varien de forma no controlada les seves condicions de funcionament. En circuits digitals, se suavitza el problema usant tensions d'alimentació elevades, que s'han anat reduint al poder controlar millor la quantitat de càrrega atrapada. Modificant aquesta càrrega es varia la tensió a la qual es produeix la inversió, de manera que s'ha estructures que a zero volts tenen resistència elevada, mentre que altres la tenen reduïda.<ref name="HongPham2011">{{cite book|author1=Sung-Min Hong|author2=Anh-Tuan Pham|author3=Christoph Jungemann|title=Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation|url=https://books.google.com/books?id=AhHGGsO2HDwC&pg=PA204|date=31 July 2011|publisher=Springer Science & Business Media|isbn=978-3-7091-0778-2|pages=204–}}</ref>
 
Modificant aquesta càrrega es varia la tensió a la qual es produeix la inversió, de manera que s'ha estructures que a zero volts tenen resistència elevada, mentre que altres la tenen reduïda.
 
=== Variacions ===
146.005

modificacions