Diferència entre revisions de la pàgina «Estructura MOS»

cap resum d'edició
[[File:Estructura-MOS.svg|miniatura|Estructura Metall-òxid-semiconductor construïda amb un substrat de silici tipus p (estructura PMOS)|alt=|260px280x280px]]
L{{'}}'''estructura MOS''' (''Metal-Oxide-Semiconductor'') consisteix en un [[condensador]], en què una de les armadures és metàl·lica, anomenada "porta", el [[dielèctric]] es forma amb un òxid del semiconductor del substrat, i l'altra armadura és un [[semiconductor]], que anomenarem substrat. L'estructura MOS és de gran importància dins dels dispositius d'estat sòlid, ja que forma els transistors [[MOSFET]], base de l'[[electrònica digital]] actual. Però, a més, és el pilar fonamental dels dispositius de càrrega acoblada, [[CCD]], tan comuns en fotografia. Així mateix, funcionant com condensador és responsable d'emmagatzemar la càrrega corresponent als bits de les [[DRAM|memòries dinàmiques]]. També s'utilitzen com condensadors de precisió en electrònica analògica i microones.<ref name="ChikuniKhan2008">{{cite book|author1=Edward Chikuni|author2=Mohammed Toriq Khan|title=Concise Higher Electrical Engineering|url=https://books.google.com/books?id=exMvD-CdtcsC&pg=PA504|date=March 2008|publisher=Juta and Company Ltd|isbn=978-0-7021-7723-1|pages=504–}}</ref>
 
== Capacitat MOS ==
[[File:Capacitancia-MOS.svg|miniatura|260px]280x280px|Capacitància normalitzada de l'estructura MOS en funció de la tensió de comporta<ref>{{cita libro|autor=El-Kareh, Badih|año=2009|título=Silicon Devices and Process Integration|capítulo=The MOS Structure|editorial=Springer US|isbn=978-0-387-69010-0|url=http://www.springerlink.com/content/n5222m57557n17x7|doi=10.1007/978-0-387-69010-0_4}}</ref>]]
En un condensador de capacitat C, apareix una càrrega Q, donada per l'expressió: Q = C · V '','' on V és la tensió entre armadures. En el condensador MOS, la tensió entre la porta i el substrat fa que adquireixi la càrrega Q, que apareix a banda i banda de l'òxid. Però en el cas del semiconductor això significa que la concentració de portadors sota la porta varia en funció de la tensió aplicada a aquesta.<ref name="International2003">{{cite book|author=ASM International|title=Istfa 2003: Proceedings of the 29Th International Symposium for Testing and Failure Analysis|url=https://books.google.com/books?id=JKuth6aVHIwC&pg=PA193|year=2003|publisher=ASM International|isbn=978-1-61503-086-6|pages=193–}}</ref>
 
146.005

modificacions