Memòria flaix: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m |right|thumb -> |miniatura |
m llengua=anglès |
||
Línia 3:
Les memòries flaix van aprofitar les capacitats d'esborrat i programació elèctrica de les memòries EEPROM i es va optar per eliminar la possibilitat d'esborrar selectivament els bits de la memòria i es va optar en permetre únicament esborrar els blocs complets de mida fixa (normalment entre 16-128 KB).
Es va poder reduir el cost de fabricació i l'augment de la capacitat, ja que en eliminar-se l'esborrament selectiu que tenien les EEPROM per el d'ara en blocs, les cel·les de memòria ja no disposen de 2 transistors sinó que solament del tansistor de porta flotant i per tant es redueix la mida de la cel·la de memòria fins a 2 o 3 vegades la mida de la cel·la EEPROM i per tant en la mateixa àrea de [[silici]] es pot emmagatzemar molta més informació.<ref>{{Ref-publicació|article=What is flash memory ? - Definition from WhatIs.com|publicació=SearchStorage|llengua=
== Història ==
| |||