Memòria racetrack: diferència entre les revisions

 

== Física ==

La versió del Racetrack d'IBM utilitza [[corrent elèctric]] de [[spin]] coherent per moure els [[dominis magnètics]] al llarg d'un filferro nanoscòpic en forma de "U". A mesura que el corrent està passant a través del filferro, els dominis es mouen sobre les [[imatge del cap de lectura/escriptura|caps de lectura/escriptura]] magnètiques posicionades en el fons de la "U", que altera els dominis per registrar patrons de bits. Un dispositiu de memòria està compost de molts d'aquests filferros i elements de lectura/escriptura.<ref>{{ref-llibre|cognom = Verlag|nom = Cuvilliés|títol = Spin-Polaritzar Currents for Spintronic Devices: Point-Contact Andreev Reflection And Spin Filters|pàgines = 2|isbn = 3867274320|url = http://books.google.cat/books?id=ZBfI_IshTv8C|consulta=2008-04-06}}</ref> En un concepte operacional general, la memòria Racetrack és similar a l'anterior [[memòria twistors]] o l'[[memòria de bombolla]] dels anys 1960 i 1970, però fa servir dominis magnètics molt més petits i millores notables en les capacitats de detecció magnètica per proporcionar molt més altes [[densitat d'àrea|densitats d'àrea]].

 

== Comparació amb la memòria Flash ==

La densitat teòrica de la memòria Racetrack és molt més alta que la de dispositius comparables com ara la [[Memòria flaix|Flash RAM]], estimacions suggereixen la màxima densitat d'àrea entre 10 i 100 vegades la dels millors dispositius de Flash possibles. Els dispositius de Flash ja són construïts en les [[Fabricació de circuits integrats|fabs]] més recents de 45 [[nanòmetre|nm]], i hi ha problemes que suggereixen que reduir l'escala a 30 nm pugui ser un límit fonamental més baix. La Racetrack no és molt més petita, els filferros són de prop de 5 a 10 nm al llarg, però endreçant verticalment, els dispositius arriben a ser tridimensionals, guanyant densitat.

 

 

== Dificultats del desenvolupament ==

Una limitació dels dispositius experimentals primerencs va ser que els dominis magnètics només es podrien empènyer lentament a través dels filferros, requerint polsos de corrent de l'ordre microsegons per moure'ls amb èxit. Això era inesperat, i va conduir a un exercici més o menys igual al de les unitats de [[disc dur|discs durs]], com 1.000 vegades més lent del predit. La investigació recent en la [[Universitat d'Hamburg]] ha seguit la pista a aquest problema i va trobar que és degut a imperfeccions microscòpiques en l'estructura cristal dels filferros que condueix a que els dominis "s'enganxin" a aquestes imperfeccions. Usant un [[microscopi de raigs X]] per tenir imatges directes entre els dominis, la seva investigació va trobar que les parets del domini serien mogudes per polsos tan curts com alguns nanosegons quan aquestes imperfeccions estaven absents. Això correspon a una velocitat [[Nivell microscòpic|macroscòpica]] de prop de 110 m/s.<ref> [http://technology.newscientist.com/article.ns?id=dn11837&feedId=tech_rss20 'Racetrack' memory could Galloper past the hard disk] </ref>

 

 

== Vegeu també ==

* [[Espintrònica]]

* [[Magnetoresistència gegant]]