Memòria flaix: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m neteja i estandardització de codi |
m estandarditzant codi encapçalaments i llistes |
||
Línia 22:
Les memòries flaix també presenten altres característiques, com:
* Gran resistència als cops.
* Molt silencioses.
* Baix consum.
* Mida petita.
* Molt lleugeres i versàtils.
* Tenen una elevada resistència tèrmica.
Els principals usos d'aquest tipus de memòries són les bateries de telèfons mòbils, PDAs ([[Personal Digital Assistant]]), càmeres de fotografies digitals, reproductors MP3, etc.<ref>{{Ref-publicació|article=What is Flash Memory? - Definition from Techopedia|publicació=Techopedia.com|llengua=en|url=https://www.techopedia.com/definition/24481/flash-memory}}</ref>
Línia 39:
S’utilitza la física quàntica per programar/borrar del transistor de porta flotant, i això es fa d’un dels dos mètodes següents:
* Hot-electron injection
* Túnel fowler-Nordhiem
Aquest transistor es caracteritza per disposar de dos portes diferents, una fixa equivalent a la dels transistors MOS, i una altra flotant. Aquesta porta flotant no està connectada sinó que es troba rodejada d’un material aïllant(òxid) de molt alta impedància. Per permetre la reprogramació del transistor, aquesta porta flotant es situa a molt poca distància del substrat del transistor.
Línia 85:
Quant a l’arquitectura, NAND pot emmagatzemar més dades en un espai de silici més petit, lo que estalvia cost per bit. En el passat, quan l’emmagatzament de dades era més baix, NOR tenia més influència en el mercad, però avui amb el gran increment de la necessitat de guardar més dades, NAND ha superat de lluny a NOR.
* L’accés NOR és aleatori per lectura i orientat a blocs per la seva modificació.
* En l’escriptura de NOR podem arribar a modificar un sol bit, mentre que a les NAND s’han de modificar blocs complets.
* La velocitat de lectura és molt superior en NOR(50-100 ns) mentre que en les NAND(10 µs de la búsqueda de bloc + 50 ns per byte).
* La velocitat d’escriptura per la NOR és de 5 µs mentre que en la NAND 200 µs.
* La fiabilitat dels dispositius basats en NOR és molt alta, bastant immune a la corrupció de dades i tampoc té blocs erronis, mentre que els sistemes NAND tenen una escassa fiabilitat, requereixen correcció de dades i existeix la possibilitat que quedin blocs marcats com erronis o inservibles.
{| class="wikitable"
| |||