|
0x (0x)
0x
== Tipus de díodes ==
{| style="float: right; margin:0 0 0.5em 1em;text-align:center;font-size:100%; border:1px solid darkgray;" cellpadding="2"
|+ '''Símbols de diferents tipus de díode'''
|- align = "center"
|[[Fitxer:Avalanche breakdown diode.svg|100px|Díode d'allau]] || [[Fitxer:Zener diode symbol.svg|100px|Díode Zener]]
|- align = "center"
| [[Díode d'allau|Allau]] || [[Díode Zener|Zener]]
|- align = "center"
| [[Fitxer:Schottky diode symbol.svg|100px|Díode Schottky]] || [[Fitxer:Tunnel diode symbol.svg|100px|Díode d'efecte túnel]]
|- align = "center"
| [[Díode Schottky|Schottky]] || [[Díode túnel]]
|- align = "center"
| [[Fitxer:LED symbol.svg|100px|LED]] || [[Fitxer:Photodiode symbol.svg|100px|Fotodíode]]
|- align = "center"
| [[Díode LED|LED]] || [[Fotodíode]]
|- align = "center"
| [[Fitxer:Varicap symbol.svg|100px|Varactor]] || [[Fitxer:SCR symbol.svg|100px|Tiristor]]
|- align = "center"
| [[Díode varicap|Varactor]] || [[Rectificador controlat de silici|Tiristor]]
|}
[[Fitxer:Electronic component zener diode.jpg|miniatura|díode Zener]]
[[Fitxer:Germanium Diode 1N60P.jpg|miniatura|Díode de germani]]
[[Fitxer:Fotodiode.jpg|miniatura|Fotodíodes]]
[[Fitxer:Schottky.jpg|miniatura|Díodes Schottky]]
[[Fitxer:2007-07-24 Light emiting diode (LED).jpg|miniatura|Díode LED]]
Hi ha molts tipus de díodes que es poden classificar en funció de les seves característiques físiques o per les seves aplicacions.
=== Díodes dopats amb or ===
L'[[or]] provoca la supressió dels portadors minoritaris. Això disminueix la [[Capacitància|capacitat]] efectiva del díode, permetent operar a [[freqüència|freqüències]] elevades. Els díodes de [[germani]] i els [[Díode Schottky|Schottky]] són tan ràpids com aquest, com també ho són els transistors bipolars "capats" per funcionar com díodes. Els dissenyats per a fonts d'alimentació estan pensats per funcionar a un màxim de 400 Hz.
=== Díodes Zener ===
Els [[Díode Zener|díodes Zener]] són díodes que presenten la propietat que també poden conduir en sentit invers. Aquest efecte, anomenat ruptura Zener, es produeix a un determinat voltatge, la [[tensió de ruptura]], fent que es puga usar el díode com una referència de voltatge de precisió. Alguns dispositius etiquetats com a Zeners d'alt voltatge, són en realitat díodes d'allau (vegeu més avall). Dos díodes Zener (equivalents) en sèrie i un a l'inrevés, constitueixen un ''Transorb'' (marca registrada). Els díodes Zener són utilitzats també en els [[motor pas a pas]] i en els circuits amb [[relé]]s per [[Magnetisme|desmagnetitzar]] les [[Inductor|bobines]] ràpidament i evitar les puntes de corrent que aquestes produeixen. Reben el seu nom del Dr. [[Clarence Melvin Zener]] de la ''Southern Illinois University'', que va descobrir la propietat elèctrica a la que es basa aquest dispositiu.
=== Díode d'allau ===
Els [[Díode d'allau|díodes d'allau]] són díodes que condueixen en sentit invers quan la tensió de polarització inversa supera la tensió de ruptura. Són molt pareguts als Zener, i de fet solen confondre's, però el mecanisme de ruptura és distint. Fan ús de l'[[efecte allau]], un efecte de multiplicació del [[corrent elèctric]] que es pot produir a l'interior dels [[semiconductor]]s o dels [[Aïllant elèctric|aïllants]] [[sòlid]]s.
=== Díode emissor de llum (LED) ===
Els [[Díode LED|díodes emissors de llum]] o díodes LED són díodes que poden emetre [[llum]] dins de l'[[espectre visible]]. Mentre els electrons creuen la unió, s'emeten [[Fotó|fotons]]. En la majoria dels díodes són reabsorbits, i són emesos a freqüències no visibles (normalment [[infraroig]]s). Tanmateix, amb la utilització dels materials i la disposició adequada, la llum es pot fer visible. El [[color]] depèn del material semiconductor emprat en la construcció del díode. El corrent que travessa el LED és determinant per a obtenir una bona intensitat lluminosa; el voltatge d'operació va des d'1,5 a 2,2 [[Volt|V]] aproximadament i la gamma d'intensitats que ha de circular per ell va de 10 a 20 m[[Amper|A]] en els díodes de color roig i d'entre 20 i 40 mA per als altres LEDs. Tots són monocromàtics.
==== Díode d'infraroigs (IRED) ====
Els [[Díode LED|díodes d'infraroig]] o IRED són LEDs especialment dissenyats per a emetre radiació infraroja (no com a efecte secundari).
==== Díode làser ====
Els [[Díode làser|díodes làser]] són un tipus de díode que es construeix amb forma de [[cavitat ressonant]], i que sota les condicions adequades emet llum [[làser]]. Es construeixen amb [[arsenur de gal·li]] (GaAs) o d'aquest compost i [[alumini]] seguint una estructura de [[sandvitx]] amb tres zones dopades de manera diferent (n - p - p+) que presenten diferents [[Índex de refracció|angles de refracció]] òptics, de manera que les zones ''n-p'' i ''p-p+'' es comporten com un mirall que reflecteix la llum que emet et díode i la confina al seu interior. Els [[Fotó|fotons]] que es desplacen per l'interior del díode estimulen els electrons i els forats dels àtoms del semiconductor a combinar-se emetent un altre fotó amb la mateixa longitud d'ona i la mateixa fase del fotó incident, això provoca una emissió de llum coherent.
=== Fotodíode ===
Els [[fotodíode]]s presenten unions p-n amples i accessibles a la llum. Els fotons poden empentar electrons cap a la unió, fent que passi el corrent. Si el fotó no té molta energia, el díode no deixarà passar molt de corrent. De vegades s'uneix un fotodíode amb un [[fototransistor]] en el mateix encapsulat. Aquest dispositiu s'anomena "[[optoacoblador]]", i permet un aïllament entre dues parts d'un circuit (com faria un [[transformador]]), però permetent transmetre els senyals de corrent continu (a diferència dels transformadors que sols transmeten senyals alterns).
=== Díode Schottky ===
Els [[Díode Schottky|díodes Schottky]] utilitzen unions metall-semiconductor i tenen una caiguda de tensió en conducció directa molt baixa, de l'ordre de 0,15 a 0,45V, cosa que els fa molt útils en circuits de baix consum i en circuits de [[Espectre radioelèctric|radiofreqüència]] (RF).
=== Varactor ===
Un [[varactor]], també conegut com a díode varicap, és un tipus de díode que s'utilitza com un [[condensador]] controlat per [[voltatge]] i no per la seva funció de díode que és secundària. Es connecta amb polarització inversa per tal que el corrent no el travessi, de manera que s'acumula [[càrrega elèctrica]] a les dues bandes de la zona de la junció PN, de manera que el díode es comporta si tingués un petit condensador connectat el paral·lel. La particularitat que fa interessant aquesta [[capacitància]] ''paràsita'' del díode és que pot disminuir en augmentar la tensió i a la inversa, la capacitància és inversament proporcional a l'arrel quadrada del voltatge aplicat. S'utilitzen en [[Circuit LC|circuits ressonants LC]] com les etapes de sintonia dels [[Receptor de ràdio|receptors de ràdio]] o els [[Oscil·lador controlats en tensió|oscil·ladors controlats en tensió]] dels [[sintetitzador]]s musicals.
=== Díode de recuperació instantània (Snap) ===
Els [[Díode de recuperació instantània|díodes de recuperació instantània]] són díodes que tenen la particularitat de generar polsos extremadament curts. Permeten transicions molt ràpides i són utilitzats en aplicacions electròniques de [[microones]] com els generadors de polsos.
=== Díode túnel (Esaki) ===
Actualment s'està desenvolupant una nova generació de dispositius basats en efectes quàntics, on els electrons poden travessar barreres de potencial encara quan clàssicament no podrien fer-ho. Aquests dispositius d'efecte quàntic són més ràpids i consumeixen menys potència que els convencionals.
=== Díode Gunn ===
Usa el mateix efecte que el díode túnel, però aquest a partir d'un camp elèctric produeix un corrent oscil·latori que no depèn del circuit extern.
== Aplicacions ==
| 