Tecnologia TTL: diferència entre les revisions

m
Format d'imatges
m (Diacrítics)
m (Format d'imatges)
A la família inicial 7.400 o 74N, aviat es va afegir una versió més lenta però de baix consum, la 74L i la seva contrapartida ràpida, les 74H, que tenia la base dels [[transistor]]s dopada amb or per produir centres de recombinació i disminuir la vida mitjana dels portadors minoritaris a la base.
Però el problema de la velocitat prové que és una [[família saturat]], és a dir, els transistors passen de [[tall]] a [[Saturació magnètica|saturació]]. Però un transistor saturat conté un excés de càrrega en la seva base que s'ha d'eliminar abans que comenci a tallar, prolongant el seu temps de resposta. L'estat de saturació es caracteritza per tenir el col·lector a menys tensió que la base. Llavors un [[díode]] entre base i collector, desvia l'excés de corrent impedint la introducció d'un excés de càrregues a la base. Per la seva baixa [[tensió directa]] s'utilitzen [[díode]]s de barrera [[Díode Schottky|Schottky]]. Així hi ha les famílies 74S i 74LS, Schottky i Schottky de baixa potència. Les 74S i 74LS van desplaçar del tot les 74L i 74H, degut al seu millor producte retard · consum. Millores en el procés de fabricació van conduir a la reducció de la mida dels transistors que va permetre el desenvolupament de tres famílies noves: 74F (FAST: Fairchild Advanced Schottky Technology) de Fairchild i 74AS (Advanced Schottky) i 74ALS ( Advanced Low Power Schottky) de [[Texas Instruments]]. Posteriorment, [[National Semiconductor]] redefinir l'74F per al cas de memòria intermèdia i interfícies, passant a ser 74F (r).
[[Fitxer:TTL NAND.PNG |miniatura| Porta NAND en tecnologia TTL estàndard (N)]]
 
== Tecnologia ==
2.756.444

modificacions