Diagrama SOA: diferència entre les revisions

 

La ruptura secundària és un mode de fallada en els transistors de potència bipolars. En un transistor de potència amb una gran àrea d'unió, en determinades condicions de corrent i tensió, el corrent es concentra en un petit punt de la unió base-emissor. Això provoca un escalfament local, avançant en un curt entre el col·lector i l'emissor. Això sovint condueix a la destrucció del transistor. Es pot produir una avaria secundària tant amb la unitat de base cap endavant com amb la inversa. <ref>L.W. Turner,(ed), ''Electronics Engineer's Reference Book'', 4th ed. Newnes-Butterworth, London 1976 {{ISBN|0408001682}}, pages 8-45 and 8-46</ref> Excepte en tensions baixes del col·lector-emissor, el límit d'avaria secundària restringeix el corrent del col·lector més que la dissipació de potència en estat estacionari del dispositiu. <ref>[http://semicon.sanyo.com/en/reliability/main.php?id=M30A139&part=6 SANYO Semiconductor Co., Ltd., ''Area of Safe Operation'']</ref> Els MOSFET de potència més antics no presentaven avaria secundària, amb la seva àrea de funcionament segura limitada només pel corrent màxim (la capacitat dels cables d'enllaç), la dissipació de potència màxima i la tensió màxima. Això ha canviat en dispositius més recents, tal com es detalla a la secció següent. <ref>[[Paul Horowitz]] and Winfield Hill, ''The Art of Electronics 2nd Ed. '' Cambridge University Press, Cambridge, 1989 {{ISBN|0-521-37095-7}} page 321</ref> Tanmateix, els MOSFET de potència tenen elements PN i BJT paràsits dins de l'estructura, que poden provocar modes de fallada localitzat més complexos que s'assemblen a una ruptura secundària.

 

== Referències ==

[[Categoria:Electrònica de potència]]