Lògica nMOS: diferència entre les revisions

36 bytes afegits ,  fa 13 anys
cap resum d'edició
m (Robot insereix {{ORDENA:Logica nMOS}})
Cap resum de modificació
La '''lògica nMOS''' ('''n'''FET '''M'''etall '''O'''xide '''S'''ilicon) usa [[transistor]]es d'efecte de camp ('''FET''') de metal-óxido-semiconductor ('''MOS''') tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals<ref>{{cita llibre|url=http://books.google.es/books?id=2tK9aCzV3zEC&pg=PA79&lpg=PA79&dq=l%C3%B2gica+nMOS&source=web&ots=7zAM-y8Hw4&sig=YD2PAK2RQtmlqNtv4P1-oBqDuoA&hl=ca&sa=X&oi=book_result&resnum=4&ct=result#PPA77,M1|title=Fonaments d'electrònica digital (p. 77)|author=Raúl Esteve Bosch, José Francisco Toledo Alarcón|publisher=Ed. Univ. Politéc. Valencia|year=2005}}</ref>. Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu).
 
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la [[porta lògica]] i la [[voltatge]] d'alimentació negativa, mentre una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]] és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.
 
==Referències==