Microones: diferència entre les revisions

Amb el terme '''microones''' s'identifica a les [[ona electromagnètica|ones electromagnètiques]] la [[freqüència]] de les quals és compresa entre 300 MHz i 300 GHz, i la corresponent [[longitud d'ona]] és d'1 m a 1 mm. Als senyals amb longitud d'ona en l'ordre dels mil·límetres se'ls anomena «ones mil·limètriques». Nogensmenys, les fronteres de les microones amb els [[infraroig|infraroigs]] i les ones de ràdio d'alta freqüència són bastant arbitràries i s'utilitzen valors diferents en diverses aplicacions. A més, l'intèrval de microones més utilitzat en aplicacions s'acostuma a dividir en bandes determinades, que habitualment són les següents:

 

!Banda!!Intèrval de freqüències

|-

|-

|-

|C||4 a 8 GHz

|-

|-

|K_u||12 a 18 GHz

 

== Generació ==

Les microones poden ser generades de diverses maneres, generalment dividides en dues categories: amb dispositius d'estat sòlid i amb dispositius basats en [[tub de buit|tubs de buit]]. Els dispositius d'estat sòlid per a microones es basan en [[semiconductor]]s de [[silici]] o [[arseniur de gali]], i inclouen [[transistor d'efecte camp|transistors d'efecte camp]] (FET, ''field effect transistor''), [[transistor d'unió bipolar|transistors d'unió bipolar]] (BJT, ''bipolar junction transistor''), [[diode Gunn|diodes Gunn]] i [[diode IMPATT|diodes IMPATT]]. S'han desenvolupat versions especialitzades de transistors estàndard per a altes velocitats, que són les utilitzades habitualmente en aplicacions de microones.