Transistor bipolar: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m Robot afegeix: mn:Биполар транзистор |
m Robot modifica: mn:Хос туйлт транзистор; canvis cosmètics |
||
Línia 2:
Un '''transistor bipolar''' (''BJT'', de l'anglès ''bipolar junction transistor'') és un tipus de [[transistor]], un dispositiu que pot funcionar com amplificador o conmutador fet amb [[semiconductor]]s [[Dopatge (semiconductor)|dopats]]. El BJT està composat per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la ''base'' del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat ''emissor'', es pot variar el [[Corrent elèctric|corrent]] que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat ''col·lector'', fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent.
Conceptualment, hom pot entendre un transistor bipolar com a dos [[díode]]s col·locats de forma oposada. En estat normal, la unió emissor-base està polaritzada en directa i la unió base-col·lector està polaritzada en inversa. En un transitor de tipus NPN, per exemple, els [[electrons]] de l'emissor s'escampen (o es difonen) a la base. Aquests electrons en la base estan en minoria (hi ha una gran quantitat de [[Forat (física)|forats electrònics]]) amb els que recombinar-se. La base sempre es fa prou fina per a què la majoria d'electrons es difonguen pel col·lector abans que es recombinen amb els forats. La unió col·lector-base està polaritzada en inversa per a evitar el flux de forats, però els electrons es troben amb un camí més fàcil: són escombrats cap al col·lector pel [[camp elèctric]] que envolta la unió. La proporció d'electrons capaços de evitar "l'aspiració" de la base i arribar al col·lector és molt sensible al corrent que passa a través de la base. D'ací que un mínim canvi en el corrent de la base puga convertir-se
[[Fitxer:npn-structure.png|thumb|right|Estructura i us d'un transistor NPN]]
El diagrama que s'acompanya és una representació esquemàtica d'un transistor NPN conectat amb dos fonts de [[voltatge]]. Per fer que el transistor condueixca un corrent de C a E, s'aplica un voltatge menut (al voltant dels 0,7 [[volt]]s) en la unió base-emissor. Aquest voltatge s'anomena <math>V_{BE}</math>. Açò fa que la unió p-n superior condueixca, permetent que un corrent major <math>I_C</math> flueixca al col·lector. El corrent total que flueix cap a dins del transistor serà per tant el corrent base <math>I_B</math> més el corrent del col·lector <math>I_C</math>. El corrent total que ix és simplement el corrent de l'emissor, <math>I_E</math>. Així com en tots els dispositius elèctrics, el corrent que hi entra deu ser igual al que ix, d'ací que:
:<math>I_E = I_B + I_C</math>
{{commonscat|BJT|Bipolar junction transistor}}▼
[[Categoria:Transistors]]
▲{{commonscat|BJT|Bipolar junction transistor}}
[[ar:مقحل الوصلة ثنائي القطب]]
Linha 29 ⟶ 28:
[[ko:접합형 트랜지스터]]
[[lv:Bipolārais tranzistors]]
[[mn:
[[nl:Bipolaire transistor]]
[[pl:Tranzystor bipolarny]]
| |||