Revisió del 17:29, 2 maig 2011 modifica Mcapdevila (discussió \| contribucions) 185.282 edits Cap resum de modificació ← Edició anterior		Revisió del 17:30, 2 maig 2011 modifica desfés Mcapdevila (discussió \| contribucions) 185.282 edits Cap resum de modificació Edició següent →
Línia 1: En la teoria de [[sòlid]] s, es denomina ''' banda de valència ''' al més alt dels intervals d'[[energia\|energies]] [[electró\|electròniques]] (o bandes) que es troba ocupat per electrons en el [[zero absolut]]. A [[semiconductor]]s i [[Aïllament elèctric\|aïllant]]s apareix una [[banda prohibida]] o '' gap '' per sobre de la banda de valència, seguida d'una [[banda de conducció]] a energies encara més grans. En els [[metall]] és, per contra, no hi ha cap interval d'energies prohibides entre les bandes de valència i de conducció. <div style="float: Center; MARGIN: 1em 1em 1em 1em; style="text-align: center;"> [[Imatge: Semiconductor_band_structure_ (lots_of_bands). png]] <br> '' Estructura de bandes en un semiconductor '' <br> < small> '' Vegeu [[conducció elèctrica]] i [[semiconductor]] per a una descripció més detallada de l'estructura de bandes. '' </small> </div> La baixa [[conducció elèctrica\|conductivitat elèctrica]] de semiconductors i aïllants es deu a les propietats de la banda de valència. Es dóna la circumstància que el nombre d'electrons és exactament el mateix que el nombre d'estats disponibles a la banda de valència. A la banda prohibida, evidentment, no hi ha estats electrònics disponibles. Això significa que quan s'aplica un [[camp elèctric]] els electrons no poden incrementar la seva energia (és a dir, no poden ser [[acceleració\|accelerats]]) al no haver estats disponibles on puguin moure's més ràpidament del que ja ho fan.

Banda de valència: diferència entre les revisions