Diferència entre revisions de la pàgina «Carborúndum»

m
Petites correccions ortogràfiques al tercer paràgraf.
m (Petites correccions ortogràfiques al tercer paràgraf.)
El carbur de silici es tracta d'un material [[semiconductor]] ({2,4 V) i [[Material refractari|refractari]] que presenta molts avantatges per ser utilitzat en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència , el Carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades més gran que el silici o el arseniür de gali sense que sobrevingui la ruptura, aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa ser d'utilitat en la fabricació de components que operen a elevat voltatge i alta energia com per exemple: [[díode]] s, [[transistor]] és, supressors ..., i fins i tot dispositius per [[microones]] s d'alta energia. A això se suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.
 
Gràcies a l'elevada velocitat de saturació de portadors de càrrega (2,0·10<sup>7</sup>cm<sup>-1</sup>) és possible emprar SiC per a dispositius que treballen a altes freqüències, ja siguin radiofreqüència o Microones. Finalment una duresa de{ 9 en l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb elsles seusseves propietats elèctriques, fan que els dispositius basats en SiC ofereixin nombrosos beneficis enfront d'altres semiconductors.
 
== Obtenció ==
4

modificacions