Lògica nMOS: diferència entre les revisions

m
Robot: Reemplaçament automàtic de text (-http://books.google.es/ +http://books.google.cat/)
Cap resum de modificació
m (Robot: Reemplaçament automàtic de text (-http://books.google.es/ +http://books.google.cat/))
La '''lògica nMOS''' ('''n'''FET '''M'''etall '''O'''xide '''S'''ilicon) usa [[transistor]]es d'efecte de camp ('''FET''') de metal-òxid-semiconductor ('''MOS''') tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.<ref>{{cita llibre|url=http://books.google.escat/books?id=2tK9aCzV3zEC&pg=PA79&lpg=PA79&dq=l%C3%B2gica+nMOS&source=web&ots=7zAM-y8Hw4&sig=YD2PAK2RQtmlqNtv4P1-oBqDuoA&hl=ca&sa=X&oi=book_result&resnum=4&ct=result#PPA77,M1|title=Fonaments d'electrònica digital (p. 77)|author=Raúl Esteve Bosch, José Francisco Toledo Alarcón|publisher=Ed. Univ. Politéc. Valencia|year=2005}}</ref> Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu).
 
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la [[porta lògica]] i la [[voltatge]] d'alimentació negativa, mentre una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]] és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.
191.443

modificacions