191.443
modificacions
Cap resum de modificació |
m (Robot: Reemplaçament automàtic de text (-http://books.google.es/ +http://books.google.cat/)) |
||
La '''lògica nMOS''' ('''n'''FET '''M'''etall '''O'''xide '''S'''ilicon) usa [[transistor]]es d'efecte de camp ('''FET''') de metal-òxid-semiconductor ('''MOS''') tipus N per a implementar portes lògiques i altres circuits digitals.<ref>{{cita llibre|url=http://books.google.
Els MOSFETs de tipus N són disposats en una xarxa "pull-down" (PDN) entre la sortida de la [[porta lògica]] i la [[voltatge]] d'alimentació negativa, mentre una [[Resistència elèctrica (component)|resistència]] és col·locada entre la sortida de la porta lògica i la voltatge d'alimentació positiva. El circuit és dissenyat de tal forma que la hi sortida desitjada sigui baixa, llavors el PDN serà actiu, creant un corrent entre l'alimentació negativa i la sortida.
|