Silici sobre aïllant
Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència.[1][2]
Evolució industrial modifica
La implantació de la tecnologia SOI ve donada per la necessitat de la contínua miniaturització dels dispositius electrònics, també coneguda com la llei de Moore. La tecnologia SOI reporta els següents avantatges:[3]
- Capacitat paràsita més baixa.
- Major resistència al latch-up
- Pot treballar a menor tensió d'alimentació VDD.
- Menor dependència de la temperatura.
- Menors corrents de fuita.
Implementacions modifica
Vegeu també modifica
- Tecnologia Dielèctric de high-k
Referències modifica
- ↑ «What is Silicon-on-Insulator (SOI)? - Definition from WhatIs.com» (en anglès). Search400, 16-03-2017. Arxivat de l'original el 2017-03-16 [Consulta: 16 març 2017]. Arxivat 2017-03-16 a Wayback Machine.
- ↑ «Learn More About FD-SOI - STMicroelectronics» (en anglès). www.st.com. [Consulta: 16 març 2017].
- ↑ «SOI Technical Advantages : SunEdison Semiconductor» (en anglès). www.sunedisonsemi.com. [Consulta: 16 març 2017].