Memòria FeRAM
La Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació). La FeRAM és una de les opcions a memòria RAM no volàtil a l'hora de substituir la memòria flaix.[1][2]
Propietats de FeRAM modifica
Avantatges respecte la memòria flaix:
- Menor consum d'energia.
- Cicles d'escriptura més ràpids.
- Major nombre de cicles d'escriptura (al voltant de 10¹⁰ a 10¹⁴ cicles).
- Major retenció de dades (més de 10 anys a +85 °C).
Desavantatges respecte la memòria flaix:
- Menor densitat de quantitat memòria per unitat de superfície.
- Major cost.
Comparativa de memòries modifica
Segons : [1]
| Paràmetre | FRAM | SRAM | E2PROM | Flaix |
|---|---|---|---|---|
| No volàtil | Sí | No | Sí | Sí |
| Cicles d'escriptura | 10¹⁰ | sense límit | ~500 000 | 10 000 |
| Velocitat d'escriptura per 13 KB | 10ms | <10ms | 2s | 1s |
| Consum energia en µA/MHz | 80 | <60 | fins a 10 mA | 260 |
| Adreçable byte a byte | Sí | Sí | No | Sí |
Fabricants de memòria FeRAM modifica
Segons :[3]
Vegeu també modifica
Referències modifica
- ↑ 1,0 1,1 «What is FRAM | Ferroelectric Random Access Memory FeRAM | Tutorial» (en anglès). [Consulta: 23 gener 2017].
- ↑ «Memòria FeRAM» (en anglès). http://web.eecs.umich.ed.+[Consulta: 23 gener 2017].
- ↑ Gautschi, Rainbow WEB Production Switzerland - Arnold. «Sherlab.com - The #1 Linkpage to Manufacturers of Electronic Parts and Semiconductors». [Consulta: 23 gener 2017].