Arsenur d'alumini
L'arsenur d'alumini, en anglès: aluminium arsenide o aluminum arsenide, és un compost químic i un material semiconductor el qual té gairebé la mateixa constant de xarxa cristal·lina que l'arsenur de gal·li i l'arsenur de gal·li i alumini.[1] La mobilitat d'electrons hi funciona molt bé i per això té aplicacions en l'electrònica.[2]
 | |
| Substància química | tipus d'entitat química  |
|---|---|
| Massa molecular | 101,903135 Da |
| Estructura química | |
| Fórmula química | AlAs |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
| Cristal·lografia | |
| Sistema cristal·lí | sistema cristal·lí cúbic |
Propietats modifica
Té les següents propietats:[3]
- Coeficient d'expansió tèrmica 5 µm/(°C*m)
- Temperatura de Debye 417 K
- Microduresa 5.0 GPa (50 g load)
- Nombre d'àtoms en in 1 cm³: (4.42-0.17x)·1022[4]
- Bulk modulus (7.55+0.26x)·1011 dyn cm−2[4]
- Duresa en l'escala Mohs: ~ 5[4]
- Insolubilitat en H₂O[4]
Usos modifica
L'arsenur d'alumini és un compost III-V semiconductor i és un material avantatjós per fabricar aparells d'optoelectrònica com són els diodes emissors de llum.[5][6]
També es fa servir en la fabricació d'algunes cel·les solars.[7]
Toxicitat modifica
La toxicologia de l'arsenur d'alumini no ha estat plenament investigada. Si entra en reacció resulta tòxic.[4]
La seva inhalació pot causar irritació aguda al sistema respiratori, també pot causar enverinament per arsènic, ulceracó del septe nasal, dany al fetge i càncer a la sang, ronyons i sistema nerviós. [8]
Referències modifica
- ↑ Guo, L. Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters. Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 pg. 2029-2039. 2011.
- ↑ S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapore, 1994)
- ↑ Berger, L. I.. Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, p. 125. ISBN 978-0-8493-8912-2.
- ↑ 4,0 4,1 4,2 4,3 4,4 Dierks, S.. "Aluminum Arsenide - MATERIAL SAFETY DATA." The Fitzgerald Group - MIT. MIT, 1994. Web. <http://sauvignon.mit.edu/fitz/safety/aluminumarsenide.pdf Arxivat 2013-10-29 a Wayback Machine.>.
- ↑ Minden, H. T. Some Optical Properties of Aluminum Arsenide. Applied Physics Letters. Vol. 17, Issue 9. pg. 358-360. 1970.
- ↑ Bult, R.P. (1977). U.S. Patent No. 4002505. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office.
- ↑ Fraas, L.M. (1978). U.S. Patent No. 864, 300. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office.
- ↑ Sax. Dangerous Properties of Industrial Materials. Eighth edition. 2005.