Boule (cristall)
El terme boule (bola de cristall) s'empra per a referir-se a és un lingot d'un sol cristall produït per mitjans sintètics.[1]
Aquesta bola de silici és el material de partida per a la majoria dels circuits integrats que s'utilitzen actualment. A la indústria dels semiconductors, les boles sintètiques es poden fabricar mitjançant una sèrie de mètodes, com la tècnica Bridgman [2] i el procés Czochralski, que donen com a resultat una vareta cilíndrica de material.
En el procés Czochralski es requereix un cristall de llavors per crear un cristall més gran, o lingot. Aquest cristall de llavors es submergeix en el silici fos pur i s'extreu lentament. El silici fos creix sobre el cristall de llavors de manera cristal·lina. A mesura que s'extreu la llavor, el silici es solidifica i finalment es produeix una gran bola cilíndrica.[3]
Normalment, una bola de cristall semiconductor es talla en oblies circulars utilitzant una serra de diamant de forat interior o una serra de fil de diamant, i cada oblia es lliga i es polida per proporcionar substrats adequats per a la fabricació de dispositius semiconductors a la seva superfície.[4]
El procés també s'utilitza per crear safirs, que s'utilitzen per a substrats en la producció de LEDs blaus i blancs, finestres òptiques en aplicacions especials i com a cobertes protectores per a rellotges.[5]
Referències
modifica- ↑ Kimoto, Tsunenobu. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization (en anglès), 24 November 2014. ISBN 9781118313527.
- ↑ Dhanaraj, Govindhan. Springer Handbook of Crystal Growth (en anglès), 2010. ISBN 9783540747611.
- ↑ Rea, Samuel N. «Continuous Czochralski Process Development» (en anglès). [Consulta: March 1, 2017].
- ↑ BOSE. IC Fabrication Technology (en anglès). McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd, 2013, p. 53. ISBN 978-1-259-02958-5.
- ↑ J.-P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI: Materials to Vlsi (en anglès). Springer Science & Business Media, 29 February 2004, p. 12. ISBN 978-1-4020-7773-9.