Revisió del 17:01, 23 ago 2018 modifica KRLS Bot (discussió \| contribucions) Bots 391.209 edits m Robot: Afegint la categoria Articles amb interviquis dins del text ← Edició anterior		Revisió del 18:20, 13 gen 2019 modifica desfés KRLS Bot (discussió \| contribucions) Bots 391.209 edits m Retiro interwikis dins el text. #QQ18 Edició següent →
Línia 2: [[Fitxer:SETFET_schematic.jpg\|miniatura\|Fig. 2. Esquema del circuit híbrid SET-FET. ]] El '''transistor d'electró únic''' [[Single-electron_transistor\|''(single-electron transistor, SET)'']] és un dispositiu electrònic basat en l'efecte [[~~:en:~~Coulomb blockade\|'''Coulomb Blockade''' ''(CB)'']]. En aquest dispositiu l'electró es condueix a través de les d'unions túnel que separan els terminals de font/drenador respecte a un '''[[punt quàntic]]''' ''(illa conductiva)'' que en aquests dispositius actua com a canal de conducció. Cal tenir present que el potencial de l'illa conductiva vindrà modificat per un tercer elèctrode (porta) que està acoblat capacitivament a l'illa de conducció. La Fig. 1 mostra l'esquema bàsic d'un dispositiu SET, on l'illa conductiva està compresa entre les unions tunel, que son modelades per una capacitat (C<sub>D</sub> i C<sub>S</sub>) i una resistència (R<sub>D</sub> i R<sub>S</sub>) en paral·lel.<ref>S. Mahapatra, V. Vaish, C. Wasshuber, K. Banerjee, and A. M. Ionescu, “Analytical Modeling of Single Electron Transistor for Hybrid CMOS-SET Analog IC Design,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, no. 11, pp. 1772–1782, Nov. 2004.</ref> == Entorn de treball == El transistor d'electró únic ha guanyat recentment rellevància amb el creixent interès de la indústria per la [[internet de les coses]] ''(IoT)'' i les aplicacions enfocades a la salut; on un consum energètic ultra-baix és una condició molt important. Conjuntament amb aquest baix consum la nano-electrònica també està interessada en aconseguir unes dimensions dels dispositius en el rang dels nanòmetres aconseguint així una major integració del dispositiu; és per això que el SET ha esdevingut un element molt interessant. La major diferència conceptual del SET envers el [[MOSFET]] recau en el concepte del canal de conducció del dispositiu. Si bé, pel [[MOSFET]] el canal de conducció, que es genera entre font i drenador, condueix un munt d'electrons; pel que fa al SET el canal es compon únicament d'una ''"illa de conducció"'' o ''"[[punt quàntic]]"'' (quantum dot, QD) on la conducció és electró a electró.<ref>K. Uchida, K. Matsuzawa, J. Koga, R. Ohba, S. I. Takagi, and A. Toriumi, “Analytical single-electron transistor (SET) model for design and analysis of realistic SET circuits,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 39, no. 4 B, pp. 2321–2324, 2000.</ref> El SET s'aprofita del fenomen anomenat [[~~:en:~~Coulomb blockade\|''"Coulomb blockade"'']] on la transferència d'electrons és pot fer de forma individual, donat que font i drenador estan separats per una unió túnel (tunnel junction). El funcionament del SET es basa principalment en la "teoria ortodoxa" ''(orthodox theory)'' la qual es basa en tres presumpcions: #S'ignora la quantificació de l'energia de l'electró dins dels conductors, i.e. l'espectre d'energia es tracta com a continu, fet que és vàlid només si E<sub>k</sub> << k<sub>B</sub>T. #El temps (τ<sub>t</sub>) que l'electró triga en superar la barrera s'assumeix com a negligible en comparació amb altres escales temporals. Aquesta presumpció és vàlida per barreres túnels de l'ordre τ<sub>t</sub> ~10-15 s. Línia 24: [[Categoria:Transistors]] ~~[[Categoria:Articles amb interviquis dins del text]]~~

Transistors d'electró únic: diferència entre les revisions