Microones: diferència entre les revisions

|}

 

Les microones poden ser generades de diverses maneres, generalment dividides en dues categories: amb dispositius d'estat sòlid i amb dispositius basats en [[tub de buit|tubs de buit]]. Els dispositius d'estat sòlid per a microones es basan en [[semiconductor]]s de [[silici]] o [[arseniur de gali]], i inclouen [[transistor d'efecte camp|transistors d'efecte camp]] (FET, ''field effect transistor''), [[transistor d'unió bipolar|transistors d'unió bipolar]] (BJT, ''bipolar junction transistor''), [[diode Gunn|diodes Gunn]] i [[diode IMPATT|diodes IMPATT]]. S'han desenvolupat versions especialitzades de transistors estàndard per a altes velocitats, que són les utilitzades habitualmente en aplicacions de microones.