Revisió del 14:09, 12 nov 2010 modifica Bestiasonica (discussió \| contribucions) 244.771 edits Categoria:Transductors ← Edició anterior		Revisió del 21:32, 25 gen 2011 modifica desfés Lluis tgn (discussió \| contribucions) Creadors de comptes, Autopatrullats, Reversors 18.812 edits [http://esadir.cat/morfologia/bastanta La paraula ''bastanta'' no està recollida al DIEC.] Edició següent →
Línia 5: Una fotoresistència està feta d'un [[semiconductor]] d'alta resistència. Si la llum que incideix en el dispositiu es d'alta [[freqüència]], els [[Fotó\|fotons]] són absorbits per l'elasticitat del semiconductor donant als [[electrons]] l'[[energia]] suficient per saltar a la [[banda de conducció]]. L'electró lliure que en resulta (i el seu [[Forat (física)\|forat]] associat) condueix l'electricitat, de tal manera que disminueix la resistència. Un dispositiu fotoelèctric pot ser intrínsec o extrínsec. En els dispositius intrínsecs, els únics electrons disponibles estan en la banda de la [[València atòmica\|valència]], per tant el [[fotó]] ha de tenir ~~bastanta~~bastant energia per a excitar un electró a través de tota la banda prohibida. Els dispositius extrínsecs tenen impureses afegides, que tenen energia d'estat més proper a la banda de conducció, ja que els electrons no han saltar lluny, els fotons amb menys energia (és a dir, els de major [[longitud d'ona]] i freqüència més baixa) són suficients per activar el dispositiu. == Les cèl·lules de sulfur de Cadmi ==

LDR: diferència entre les revisions