Fitxer:1-1-1 Pits from Aluminum Alloying.jpg
Mida d'aquesta previsualització: 796 × 599 píxels. Altres resolucions: 319 × 240 píxels | 638 × 480 píxels | 1.020 × 768 píxels | 1.280 × 964 píxels | 2.161 × 1.627 píxels.
Fitxer original (2.161 × 1.627 píxels, mida del fitxer: 492 Ko, tipus MIME: image/jpeg)
 | Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons. Vegeu la pàgina original a Commons |
Resum
| Descripció |
English: The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer. At the center of the image is a light triangle. This triangle is a pyramid-shaped area of Al-Si alloy caused by high-temperature processing (450°C annealing) of the wafer after Aluminum deposition and etching. The 1-1-1 orientation of the silicon wafer enables the alloying to descend into the wafer perpendicular to the surface of the wafer. The alloyed area has a different index of refraction than than the other silicon substrate and is highlighted by the Nomarski Differential Interference Contrast microscopy (DIC). Note that the features are visible because of the aluminum had previously been etched away with acid to enable this microscopic analysis. |
| Data | |
| Font | Treball propi |
| Autor | Richstraka |
Aquest fitxer està subjecte a la llicència de Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
- compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Fotografia pròpia
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
| Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
|---|---|---|---|---|---|
| actual | 00:23, 28 set 2009 | | 2.161 × 1.627 (492 Ko) | Richstraka~commonswiki | {{Information |Description={{en|1=The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer. At the center of the image is a light triangle. This triangle is a pyramid-shaped area of Al-Si alloy caused by high-temperature processing (450°C annealin |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a en.wikipedia.org
- Utilització a es.wikipedia.org
- Utilització a fa.wikipedia.org
- Utilització a ja.wikipedia.org
