Viquipèdia

Fitxer:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

Fitxer original ‎(fitxer SVG, nominalment 401 × 235 píxels, mida del fitxer: 7 Ko)

Descripció a Commons

Resum

Descripció
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
Data (UTC)
Font
Autor


Això és una imatge retocada, cosa que vol dir que ha estat alterada digitalment de la seva versió original. Modificacions: translation to german, thickness ratio fixed, colored. L'original es pot veure a: High-k.svg: . Modificacions fetes per Cepheiden.

Llicència

Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
w:ca:Creative Commons
reconeixement compartir igual 		Aquest fitxer està subjecte a la llicència de Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada. Subjecte a l'avís legal.
Sou lliure de:
  • compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
  • adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
  • reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
  • compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Aquest avís de llicència s'ha afegit a aquest fitxer d'acord amb l'actualització de la llicència GFDL.
GNU head S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License.
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.

Registre original de càrregues

This image is a derivative work of the following images:

  • File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

Uploaded with derivativeFX

Llegendes

Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer

Elements representats en aquest fitxer

representa l'entitat

alçària

235 píxel

amplada

401 píxel

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

Data/horaMiniaturaDimensionsUsuari/aComentari
actual10:52, 20 feb 2010Miniatura per a la versió del 10:52, 20 feb 2010401 × 235 (7 Ko)Cepheidensvg fix
10:51, 20 feb 2010Miniatura per a la versió del 10:51, 20 feb 2010401 × 235 (7 Ko)Cepheidensmall fixes
10:45, 20 feb 2010Miniatura per a la versió del 10:45, 20 feb 2010401 × 235 (7 Ko)Cepheiden{{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio

La pàgina següent utilitza aquest fitxer:

Ús global del fitxer

Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:

Obtingut de «https://ca.wikipedia.org/wiki/Fitxer:Common_SiO2_vs_high-k_gate_stack_(DE).svg»