Fitxer original(fitxer SVG, nominalment 299 × 196 píxels, mida del fitxer: 46 Ko)

Descripció a Commons

Resum

Descripció
English: Illustration of the Franz-Keldysh effect: Due to an electric field both the conduction and valence band get tilted, enabling both electrons and holes to tunnel into the forbidden region, reducing the effective band gap of the semiconductor.
Deutsch: Illustration des Franz-Keldysh Effekts: Durch ein elektrisches Feld werden Leitungs- und Valenzband verkippt, wodurch Elektronen und Löcher in die verbotene Zone tunneln können, was zu einer Reduzierung der effektiven Bandlücke führt.
Data
Font Treball propi
Autor FlauschiWauschi

Llicència

Public domain Jo, el titular del copyright d'aquesta obra, l'allibero al domini públic. Això s'aplica a tot el món.
En alguns països això pot no ser legalment possible, en tal cas:
Jo faig concessió a tothom del dret d'usar aquesta obra per a qualsevol propòsit, sense cap condició llevat d'aquelles requerides per la llei.

Llegendes

Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer

Elements representats en aquest fitxer

representa l'entitat

196 píxel

299 píxel

Historial del fitxer

Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.

Data/horaMiniaturaDimensionsUsuari/aComentari
actual15:33, 3 ago 2010Miniatura per a la versió del 15:33, 3 ago 2010299 × 196 (46 Ko)FlauschiWauschi{{Information |Description={{en|1=Illustration of the Franz-Keldysh effect: Due to an electric field both the conduction and valence band get tilted, enabling both electrons and holes to tunnel into the forbidden region, reducing the effective band gap of

La pàgina següent utilitza aquest fitxer:

Ús global del fitxer

Utilització d'aquest fitxer en altres wikis: