Fitxer:HKMG - NMOS and PMOS Intel 45 nm node DE.svg
Mida d'aquesta previsualització PNG del fitxer SVG: 800 × 338 píxels. Altres resolucions: 320 × 135 píxels | 640 × 270 píxels | 1.024 × 432 píxels | 1.280 × 540 píxels | 2.560 × 1.080 píxels | 1.600 × 675 píxels.
Fitxer original (fitxer SVG, nominalment 1.600 × 675 píxels, mida del fitxer: 33 Ko)
 | Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons. Vegeu la pàgina original a Commons |
Resum
| Descripció |
Deutsch: Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik (Gate-Last- bzw. Replacement-Gate-Ansatz) wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte.
Die vereinfachten Darstellungen sind Veröffentlichungen von Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen nachempfunden, wie sie beispielsweise in D. James An Ongoing History of Strain-Now Available with High-k! WeSRCH-Veröffentlichung (http://electronics.wesrch.com/pdfEL1SE1YJ9AKVU) zu finden sind. |
| Data | |
| Font | Treball propi |
| Autor | Cepheiden |
Llicència
Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
|
S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License. |
Aquest fitxer està subjecte a la llicència Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada, 2.5 Genèrica, 2.0 Genèrica i 1.0 Genèrica.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
- compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
| Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
|---|---|---|---|---|---|
| actual | 00:00, 22 feb 2011 | | 1.600 × 675 (33 Ko) | Cepheiden | {{Information |Description ={{de|1=Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte. Die vereinfachten Darstellungen sind Veröff |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a de.wikipedia.org
