English: LEEM images of 4H-SiC(0001) surfaces after anneal-ing at 1450◦C. The incident electron beam energies are (a) 2.5, (b) 3.5, (c) 4.5, and (d) 5.5 eV and reflectivity data obtained from areas A-H plotted as a function of the incident electron beam energy. The reflectivity curves from areas A-H are successively shifted upward for clarity.
Data
Font
Hibino, H., et al. "Thickness determination of graphene layers formed on SiC using low-energy electron microscopy." e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 6 (2008): 107-110. https://doi.org/10.1380/ejssnt.2008.107
Autor
H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, Y. Kobayashi, H. Yamaguchi
compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
adaptar – fer-ne obres derivades
Amb les condicions següents:
reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0CC BY 4.0 Creative Commons Attribution 4.0 truetrue
Llegendes
Afegeix una explicació d'una línia del que representa aquest fitxer
LEEM images and reflectivity data of graphene on 4H-SiC(0001) Adapted from https://doi.org/10.1380/ejssnt.2008.107
Aquest fitxer conté informació addicional, probablement afegida per la càmera digital o l'escàner utilitzat per a crear-lo o digitalitzar-lo. Si s'ha modificat posteriorment, alguns detalls poden no reflectir les dades reals del fitxer modificat.