Fitxer:TyNiemeyerDolanTechnique.png
Mida d'aquesta previsualització: 485 × 600 píxels. Altres resolucions: 194 × 240 píxels | 388 × 480 píxels | 621 × 768 píxels | 828 × 1.024 píxels | 1.704 × 2.108 píxels.
Fitxer original (1.704 × 2.108 píxels, mida del fitxer: 103 Ko, tipus MIME: image/png)
 | Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons. Vegeu la pàgina original a Commons |
| Descripció |
English: Niemeyer-Dolan (angular evaporation) technique for the fabrication of single electron transistors. a: Side view, cut along the current path. b: Side view, cut perpendicular to the current path, and showing the resist mask and the layers deposited on it during the evaporations. Note how these depositions change the cross section of the openings in the mask. c: Top view, indicating the cut planes for views a and b. Drawings are approximately to scale in all dimensions. |
| Data | Göteborg 1999 |
| Font | Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308. |
| Autor | Torsten Henning |
Aquest fitxer està disponible sota la llicència Creative Commons Reconeixement 2.5 Genèrica.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
| Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
|---|---|---|---|---|---|
| actual | 17:34, 12 oct 2005 | | 1.704 × 2.108 (103 Ko) | DrTorstenHenning | {{English}} Niemeyer-Dolan (angular evaporation) technique for the fabrication of single electron transistors. '''a''': Side view, cut along the current path. '''b''': Side view, cut perpendicular to the current path, and showing the resist mask and the l |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a en.wikipedia.org
- Utilització a ru.wikipedia.org
